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N沟道场效应 封装 11.4A 900V FQA11N90 功率MOS
N沟道场效应 封装 11.4A 900V FQA11N90 功率MOS
所 在 地：广东 深圳 累计销量：0 件
店铺掌柜：  优创科技电子 
商品标签：N沟道场效应FQA11N90900V11.4A功率MOS封装
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